रासायनिक वाष्प जमाव भट्ठी धातु कार्बनिक यौगिकों के लिए सीआईसी मिश्रित सामग्री

वाष्प जमाव भट्ठी का उपयोग धातु हाइड्रोक्लोराइड, धातु कार्बनिक यौगिकों को गर्म करने और वाष्पित करने के लिए किया जा सकता हैलक्ष्य सामग्री की सतह पर ठोस तलछट उत्पन्न करने के लिए विशिष्ट दबाव के तहत हाइड्रोकार्बन और अन्य प्रतिक्रिया स्रोतइसका उपयोग कार्बन स्रोत के रूप में हाइड्रोकार्बन गैस (जैसे सी 3 एच 8, आदि) के साथ कम्पोजिट सामग्री के रासायनिक वाष्प जमाव के लिए भी किया जाता है, जैसे सी / सी कम्पोजिट सामग्री, सीआईसी कम्पोजिट सामग्री, सीवीडी,सीवीआई प्रसंस्करण.

विशेषताएं:

1) मध्यम या उच्च तापमान पर, गैस चरण में प्रारंभिक यौगिकों के बीच गैस चरण रासायनिक प्रतिक्रिया के माध्यम से मैट्रिक्स पर ठोस सामग्री का गठन और जमा हो जाता है।

2) यह वायुमंडलीय दबाव या वैक्यूम स्थितियों में जमा हो सकता है (नकारात्मक दबाव "बदलाव, आमतौर पर वैक्यूम जमाव फिल्म की गुणवत्ता बेहतर होती है) ।

3) प्लाज्मा और लेजर सहायक प्रौद्योगिकी का उपयोग रासायनिक प्रतिक्रिया को काफी बढ़ावा दे सकता है, ताकि जमाव कम तापमान पर किया जा सके।

4) कोटिंग की रासायनिक संरचना गैस चरण की संरचना के परिवर्तन के साथ बदल सकती है, ताकि ढाल तलछट या मिश्रित कोटिंग प्राप्त हो सके।

5) कोटिंग घनत्व और कोटिंग शुद्धता को नियंत्रित कर सकता है।

6) लेपित भागों के चारों ओर। यह जटिल आकार मैट्रिक्स और दानेदार सामग्री पर लेपित किया जा सकता है। वर्कपीस के सभी प्रकार के जटिल आकारों को कोटिंग के लिए उपयुक्त है। इसके अच्छे कोटिंग प्रदर्शन के कारण, यह एक अच्छी तरह से तैयार किया गया है।इसे ग्रूव के साथ लेपित किया जा सकता है, खांचे, छेद, और यहां तक कि काम के टुकड़े के अंधे छेद।

7) जमा की गई परत में आमतौर पर स्तंभात्मक क्रिस्टलीय संरचना होती है और यह झुकने के लिए प्रतिरोधी नहीं होती है।लेकिन इसकी संरचना को विभिन्न तकनीकों के माध्यम से रासायनिक प्रतिक्रिया के गैस चरण विचलन से सुधार किया जा सकता है.

8) विभिन्न प्रतिक्रियाओं के माध्यम से धातु, मिश्र धातु, सिरेमिक और यौगिक कोटिंग्स की एक किस्म का निर्माण कर सकता है।